MZ-V9E1T0BW, SAMSUNG 990 EVO SSD 1.000GB M2 NVMe PCI Express 4.0 V-NAND TLC LETTURA 5000 MB/s SCRITTURA 4200 MB/s, SAMSUNG
MZ-V9E1T0BW, SAMSUNG 990 EVO SSD 1.000GB M2 NVMe PCI Express 4.0 V-NAND TLC LETTURA 5000 MB/s SCRITTURA 4200 MB/s, SAMSUNG - immagine 2

MZ-V9E1T0BW, SAMSUNG 990 EVO SSD 1.000GB M2 NVMe PCI Express 4.0 V-NAND TLC LETTURA 5000 MB/s SCRITTURA 4200 MB/s, SAMSUNG

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Descrizione

1 TB M.2 PCI Express 4.0 – Velocità di lettura: 5000 MB/s – Velocità di scrittura: 4200 MB/s – V-NAND TLC NVMe 2.0 – criptaggio hardware 256-bit AES – Supporto S.M.A.R.T. Supporto TRIM – Componente per: Universale

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Peso 0,1 kg
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